MEI709使用金锡plat form焊锡贴PD chip 到submount上,镀金层上焊锡流动不良

从现在的试验来看,似乎和芯片背面、submont表面的粗糙度有关
哪位对共晶焊接熟悉的高人指点一下

1)如何定量地确认合适表面粗糙度达到最好的焊接质量
2)submont镀金层下会有镍层,它会有影响吗?
是在做通孔垂直结构LED的焊接吗...?看你的结构和叙述主要针对SnAu共晶...这样共晶焊料的熔点就有了...当然你的炉温一定比共晶焊料的熔点高...因为Au下面还有Ni...
利用共晶焊接技术,先将晶粒焊接于一散热基板(soubmount)或热沉(heat sink)上,然后把整件晶粒连散热基板再焊接于封装器件上,这样就可增强器件散热能力,令发光功率相对地增加。至于基板材料方面,硅(Silicon)、铜(Copper)及陶瓷(Ceramic)等都是一般常用的散热基板物料。
共晶焊接技术最关键是共晶材料的选择及焊接温度的控制。新一代的InGaN高亮度LED,如采用共晶焊接,晶粒底部可以采用纯锡(Sn)或金锡(Au-Sn)合金作接触面镀层,晶粒可焊接于镀有金或银的基板上。当基板被加热至适合的共晶温度时,金或银元素渗透到金锡合金层,合金层成份的改变提高溶点,令共晶层固化并将LED紧固的焊于热沉或基板上。
选择共晶温度视乎晶粒、基板及器件材料耐热程度及往后SMT回焊制程时的温度要求。考虑共晶固晶机台时,除高位置精度外,另一重要条件就是有灵活而且稳定的温度控制,加有氮气或混合气体装置,有助于在共晶过程中作防氧化保护。当然和银浆固晶一样,要达至高精度的固晶,有赖于严谨的机械设计及高精度的马达运动,才能令焊头运动和焊力控制恰到好处之余,亦无损高产能及高良品率的要求。
进行共晶焊接工艺时亦可加入助焊剂,这技术最大的特点是无须额外附加焊力,故此不会因固晶焊力过大而令过多的共晶合金溢出,减低LED产生短路的机会。